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IBM 的苏黎世研究人员与美国同事合作，首次证明相变存储器 (PCM) 能够在很长一段时间内可靠地将多个数据位存储在每个单元中。通过调整其“读取”和“写入”过程以缓解困扰 PCM 多年的问题，这项突破可能预示着闪存的漫长而缓慢的淘汰，从移动设备到云存储的各种产品都将受到影响。
与闪存一样，PCM 是一种非易失性存储技术。但 PCM 有潜力在性能上远远超越闪存。PCM 可以使骨干 IT 系统的整体性能提高几个数量级。计算机可以瞬间启动。云的增长速度可能会跟上我们不断向云中倾倒的海量数据。
但相变存储器并非易事（要了解其工作原理的更完整解释，请点击下面的链接。或尝试维基百科）。简单来说，PCM 利用材料从一种晶体结构变为非晶态结构时发生的电阻变化。晶体结构表现出高电阻，非晶态表现出低电阻。
这种电阻范围允许计算机科学家在每个存储单元中存储不止一位，因此存储器和性能会大幅提升。因此，在我们引用的 IBM 研究中，科学家们能够在单个单元的四个不同的电阻级别中存储“00”、“01”、“10”和“11”这几种位组合。这就像“一物四用”。
PCM 的问题在于非晶态的电阻容易漂移，随着时间的推移而升高，并导致读取错误。这才是真正被解决的问题：IBM 新颖的读/写过程不再限制电阻漂移，而是以一种容忍漂移的方式进行编码。如果电阻发生变化，也无关紧要；PCM 长期保留可用、可检索数据的能力仍然是稳固的。
这项演示已成功进行了五个月，时间足够长，以至于 IBM 对其能够真正长时间地在 PCM 中存储数据的解决方案充满信心。当然，研究仍在继续，但如果它能像第一次演示那样可靠，PCM 可能会像今天的闪存一样普及，用更少的空间做更多的事情。
